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ag体育-提高led显示屏发光效率的技术分析
来源:官方网站    发布时间:2021-02-25 11:13:02

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ag体育-一、半透明衬底技术  InGaAlPLED一般来说是在GaAs衬底上外延生长InGaAlP闪烁区GaP窗口区制取而出。与InGaAlP比起,GaAs材料具备大得多的禁带宽度,因此,当短波长的光从闪烁区与窗口表面射入GaAs衬底时,将被全数吸取,沦为器件出光效率不高的主要原因。在衬底与容许层之间生长一个布喇格反射区,能将横向箭向衬底的光反射返闪烁区或窗口,部分提高了器件的出光特性。一个更加有效地的方法是再行除去GaAs衬底,代之于全透明的GaP晶体。

由于芯片内除去了衬底吸取区,使量子效率从4%提高到了25-30%。为更进一步增大电极区的吸取,有人将这种半透明衬底型的InGaAlP器件制作成截角推倒锥体的外形,使量子效率有了更大的提升。

  二、金属膜光线技术  半透明衬底制程首先源于美国的HP、Lumileds等公司,金属膜光线法主要有日本、台湾厂商展开了大量的研究与发展。这种制程不但规避了半透明衬底专利,而且,更加有利于规模生产。

其效果可以说道与半透明衬底法具备异曲同工之智。该制程一般来说谓之MB制程,首先除去GaAs衬底,然后在其表面与Si基底表面同时蒸镀Al质金属膜,然后在一定的温度与压力下熔接在一起。

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如此,从闪烁层照射基板的光线被Al质金属膜层光线至芯片表面,从而使器件的闪烁效率提升2.5倍以上。  三、表面微结构技术  表面微结构制程是提升器件出光效率的又一个有效地技术,该技术的基本要点是在芯片表面光刻大量尺寸为光波长量级的小结构,每个结构呈截角四面体状,如此不但拓展了出光面积,而且转变了光在芯片表面处的反射方向,从而使透明效率明显提高。测量认为,对于窗口层厚度为20m的器件,出光效率可快速增长30%。当窗口层厚度增至10m时,出光效率将有60%的改良。

对于585-625nm波长的LED器件,制作纹理结构后,闪烁效率平均30lm/w,其值已相似半透明衬底器件的水平。 达到当天最大量API KEY 超过次数限制。

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